用途：

 新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優(yōu)異性能,憑借其比第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測(cè)、高頻功率器件等領(lǐng)域吸引了越來越多的關(guān)注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。

  青島晨立生產(chǎn)的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機(jī)構(gòu)及企業(yè)。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。