氣相二氧化硅，化學(xué)氣相沉積（CVD）法，又稱熱解法、干法或燃燒法。其原料一般為silvhuagui、氧氣（或空氣）和氫氣，高溫下反應(yīng)而成。反應(yīng)式為：SiCl4+ 2H2+ O2—>SiO2+4HCl?？諝夂蜌錃夥謩e經(jīng)過加壓、分離、冷卻脫水、硅膠干燥、除塵過濾后送入合成水解爐。將silvhuagui原料送至精餾塔精餾后，在蒸發(fā)器中加熱蒸發(fā)，并以干燥、過濾后的空氣為載體，送至合成水解爐。silvhuagui在高溫下氣化（火焰溫度1000~1800℃）后，與量的氫和氧（或空氣）在1800℃左右的高溫下進(jìn)行氣相水解；此時生成的氣相二氧化硅顆粒極細(xì)，與氣體形成氣溶膠，不易捕集，故使其先在聚集器中聚集成較大顆粒，然后經(jīng)旋風(fēng)分離器收集，再送入脫酸爐，用含氮空氣吹洗氣相二氧化硅至PH值為4～6即為成品。主要用于鋁材表面圖層的防火防腐效果。