VGF 、HB 、HGF 、 VB
產(chǎn)品特點：
★用于GaAs等化合物晶體的生長 ★按結(jié)構(gòu)形式:垂直生長,水平生長
★按生長方式:梯度生長及移動生長 ★晶體生長尺寸: 2-6寸
★設(shè)備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB ★提供的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的晶體薄膜生長制成設(shè)備,以滿足化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)、研發(fā)工藝。
主要技術(shù)指標(biāo)：
★結(jié)構(gòu)型式：單管水平式，加熱爐體可左右移動 ★適合2~4″晶體生長工藝（可定制）。
★爐體有效加熱長度:1600mm ★高工作溫度：1300℃
★恒溫區(qū)精度（靜態(tài)閉管）：±0.5℃
★升溫速率（室溫~1260℃）：斜變升溫速率可控在0~15℃/min
★降溫（1300℃~900℃）：0~5℃/min ★供電電源：三相五線~380V±10% 50Hz
豫公安備 41010502000017號